9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBF30S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBF30S参考价格为0.942美元。Vishay Siliconix IRFBF30S封装/规格：MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK。您可以下载IRFBF30S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFBF30PBF是MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为78nC，正向跨导最小值为2.3S，沟道模式为增强。
IRFBF20STRLPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK，包括2 V至4 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于900 V，提供单位重量功能，如0.050717盎司，典型的开启延迟时间设计为8 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为21ns，漏极-源极电阻Rds为8欧姆，Qg栅极电荷为38nC，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为1.7 A，正向跨导最小值为0.6 S，下降时间为32 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFBF20STRRPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于32 ns，提供Id连续漏电流特性，如1.7 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为3.1W，Rds漏极-源极电阻为8欧姆，上升时间为21ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为8ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRFBF30是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB。IRFBF330可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 3.6A-TO-220AA、N沟道900V 3.6V（Tc）125W（Tc。
