9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16408Q5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16408Q5参考价格为0.68000美元。德州仪器CSD16408Q5封装/规格：MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON。您可以下载CSD16408Q5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16407Q5是MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON，包括CSD16407Q 5系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-Clip-8以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为18.4 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为31 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为11.9ns，Qg栅极电荷为13.3nC，正向跨导最小值为111S，沟道模式为增强。
CSD16407Q5C是MOSFET N-CH 25V 100A 8SON，包括1.6V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于16V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25V，提供典型的开启延迟时间特性，如11.9ns，典型的关闭延迟时间设计用于16ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术提供，该器件具有CSD16407Q5C系列，上升时间为18.4ns，漏极源极电阻Rds为3.3mOhms，Qg栅极电荷为13.3nC，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴，封装盒为VSON-Clip-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为31 A，正向跨导最小值为111 S，下降时间为9 ns，配置为单一。
CSD16407带有TI制造的电路图。CSD16407采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
