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STU2N95K5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.15406 11.15406
10+ 9.95174 99.51745
100+ 7.76076 776.07670
500+ 6.41083 3205.41800
1000+ 5.36785 5367.85800
  • 库存: 2
  • 单价: ¥10.14006
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.15
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大功耗 45W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 1A, 10V
  • 供应商设备包装 TO-251 (IPAK)
  • 漏源电压标 (Vdss) 950伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 30伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 105 pF@100 V

STU2N95K5 产品详情

这些N沟道齐纳保护型功率MOSFET采用ST的革命性雪崩坚固型超高压SuperMESH 5技术设计,基于创新的专有垂直结构。其结果是导通电阻的显著降低,并且对于需要高功率密度和高效率的应用,栅极电荷极低。

特色

  • TO-220世界数据库RDS(打开)
  • 全球最佳FOM(绩效指标)
  • 超低门电荷
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护
STU2N95K5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STU2N95K5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STU2N95K5价格参考¥10.140060,你可以下载 STU2N95K5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STU2N95K5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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