XP151A13A0MR是一种N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和超高速开关特性。因为高速切换是可能的，所以可以有效地设置IC，从而节省能量。为了对抗静电，内置了一个栅极保护二极管。小型SOT-23封装使得高密度安装成为可能。
特征：
- 低通态电阻
- ：Rds（开）=0.1Ω@Vgs=4.5V
- ：Rds（开）=0.14Ω@Vgs=2.5V
- ：Rds（开）=0.25Ω@Vgs=1.5V
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压：1.5V
XP151A13A0MR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 特瑞仕 (Torex)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 1.73286 | 5198.59200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.73286
-
数量:
- +
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 部件状态 不适用于新设计
- 供应商设备包装 SOT-23
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1A（Ta）
- 制造厂商 特瑞仕 (Torex)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 220 pF@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@500毫安，4.5V
XP151A13A0MR 产品详情
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XP151A13A0MR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，XP151A13A0MR 由 特瑞仕 (Torex) 设计生产，可通过久芯网进行购买。XP151A13A0MR价格参考￥1.732864，你可以下载 XP151A13A0MR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询XP151A13A0MR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
特瑞仕 (Torex)
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