9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFL31N20D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFL31N20D参考价格$2.53。Vishay Siliconix IRFL31N20D封装/规格：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK。您可以下载IRFL31N20D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRFL31N20D价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFL214TRPBF是MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.008826盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-261-4、to-261AA等封装盒功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在SOT-223供应商设备包中提供，该设备具有单双漏极配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为140pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为790mA（Tc），最大Id Vgs的Rds为2 Ohm@470mA，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.2nC@10V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为790mA，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极源极导通电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
IRFL2203N带有IR制造的用户指南。IRFL2203 N采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IRFL2605TR带有由IR制造的电路图。IRFL2605 TR采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
IRFL2705带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFL2703采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
