9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP6030L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP6030L参考价格$1.598。onsemi FDP6030L封装/规格：MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3。您可以下载FDP6030L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP6030BL是MOSFET N-CH 30V 40A TO-220，包括管封装，它们设计为与FDP6030BL_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计为在TO-220-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有60W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-65 C，下降时间为8 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为15mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为30S，沟道模式为增强。
FDP5N50NZ是MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.063493盎司，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为1.38欧姆，该器件提供9 nC Qg栅极电荷，该器件具有78 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+125 C，Id连续漏电流为4.5 A，正向跨导最小值为3.54 S。
FDP5N60NZ是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3。FDP5N60NZ以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-30、N沟道600V 4.5A（Tc）100W（Tc）通孔TO-220-33、跨MOSFET N-CH600V 4.5A 3引脚（3+Tab）TO-220AB管、MOSFET 600V N沟道MOSFET、UniFET II。
