9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR010，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR010参考价格$9.84。Vishay Siliconix IRFR010封装/规格：MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK。您可以下载IRFR010英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFPS43N50KPBF是MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247，包括管封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供540 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为74 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为47 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为78mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为23S，沟道模式为增强。
IRFPS40N60KPBF是MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如47 ns，典型的关闭延迟时间设计为97 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极电阻为130 mOhms，Pd功耗为570 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为40 A，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFPS43N50K是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247。IRFPS45N50K采用TO-274AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 47A SUPER247、N沟道500V 47A（Tc）540W（Tc）通孔SUPER-247（TO-274AB）、Trans-MOSFET N-CH500V47A 3引脚SUPER-247。
