说明
Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
4针DIP封装是一种低成本的机器可插入式外壳,可在标准的0.1英寸引脚中心上以多种组合堆叠。双漏极作为安装表面的热连接,功耗最高可达1W。
特征
•动态dV/dt额定值
•重复雪崩等级
•用于自动插入
•端部可堆叠
•逻辑电平门驱动
•VGS=4 V和5 V时规定的RDS(开启)
•175°C工作温度
•材料分类:用于合规性定义
笔记
*含铅(Pb)终端不符合RoHS要求。
豁免可能适用。
(图片:引出线)