9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT42F50S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT42F50S参考价格为10.56000美元。微芯片技术APT42F50S封装/规格：MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK。您可以下载APT42F50S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT42F50B是MOSFET N-CH 500V 42A TO-247，包括1.340411盎司单位重量，它们设计用于通孔安装型，产品名称显示在数据表注释中，用于POWER MOS 8，提供TO-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及625 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为26 ns，器件的上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为42 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为170nC，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
APT41M80B2是由APT制造的MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX。APT41M800B2可在TO-247-3变体封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH800V 43A-T-MAX、N通道800V 43A（Tc）1040W（Tc）通孔T-MAX？[B2]，分立半导体模块功率MOSFET-MOS8。
APT41M80L是Microsemi制造的分立半导体模块功率MOSFET-MOS8。APT41M80L采用TO-264[L封装，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率MOSFET-MOS8、N沟道800V 43A（Tc）1040W（Tc）通孔TO-264[L]、Trans MOSFET N-CH Si 800V 43B 3-Pin（3+Tab）TO-264。
