9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFP9140，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFP9140参考价格为12.446美元。Vishay Siliconix IRFP9140封装/规格：MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3。您可以下载IRFP9140英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFP7718PBF具有引脚细节，包括管封装，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247C-3，提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为517W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为160 ns，上升时间为164 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为195 A，Vds漏极-源极击穿电压为75 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3.7V，Rds漏极-源极电阻为1.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为266ns，典型接通延迟时间为58ns，Qg栅极电荷为830nC，正向跨导Min为420S，沟道模式为增强。
IRFP90N20DPBF是MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为43 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为160 ns，器件的漏极-源极电阻为23 mOhms，Qg栅极电荷为180 nC，Pd功耗为580 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为94 A，正向跨导最小值为39 S，下降时间为79 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFP90N20D是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 94A TO-247AC。IRFP90N2 0D以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 94A-TO-247C。
