9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBC20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBC20参考价格为7.31美元。Vishay Siliconix IRFBC20封装/规格：MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB。您可以下载IRFBC20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFBC20价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如IRFBC20库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
IRFBA90N20DPBF是MOSFET MOSFT 200V 98A 23mOhm 160nC，包括管封装，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供650 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为77 ns，上升时间为160 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为98 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极导通-源极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为160nC，正向跨导Min为41S，沟道模式为增强。
IRFBA34N50C带有由IR制造的用户指南。IRFBA35N50C采用TO-273封装，是IC芯片的一部分。
IRFBA90N20D是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220™-3（直引线）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220。
