9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4423DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4423DY-T1-GE3参考价格$1.41900。Vishay Siliconix SI4423DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 10A 8SO。您可以下载SI4423DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4423DY-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4423DY T1的部件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A（Ta），最大Id Vgs的Rds为7.5mOhm@14A，4.5V，Vgs的最大Id为900mV@600μA，栅极电荷Qg Vgs为175nC@5V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为165 ns，上升时间为165纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为7.5mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为460ns，典型接通延迟时间为75ns，沟道模式为增强。
SI4423带有SI制造的用户指南。SI4423采用SOP8封装，是FET的一部分-单个。
SI4423DY是由SI制造的Trans-MOSFET P-CH 20V 10A 8引脚SOIC N T/R。SI4423DY可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET P-CH 220V 10A 8引脚SOIC N T/R。
SI4423DY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4423DY-T1在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
