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APT56F60L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括0.352740 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-264，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及1.04 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为60 ns，器件的上升时间为75 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为60 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为65ns，Qg栅极电荷为280nC，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
APT56F50L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为38 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为45 ns，器件的漏极-源极电阻为100 mOhms，Qg栅极电荷为220 nC，Pd功耗为780 W，封装外壳为TO-264，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为56A，且正向跨导Min为43S，且下降时间为33ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT56F60B2是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
