9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFR110，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR110参考价格$4.006。Vishay Siliconix IRFR110封装/规格：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK。您可以下载IRFR110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFR1018ETRBF是MOSFET N-CH 60V 56A DPAK，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的D-Pak，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为2290pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为56A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为8.4mOhm@47A，10V，Vgs最大Id为4V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为69nC@10V，Pd功耗为110W，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为79A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，漏极-漏极电阻为7.1mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为46nC。
IRFR1018EPBF是MOSFET N-CH 60V 79A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.139332盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作7.1毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为46 nC，器件提供110 W Pd功耗，器件具有封装管，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为79 a，配置为单通道。
IRFR1018ETRR带有由IR制造的电路图。IRFR1018 ETRR有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 79A DPak。
