该器件是使用第六代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(开启)。
特色
- RDS(on)*Qginindustrybnchmark
- 电阻极低RDS(开)
- 高雪崩强度
- 低速门驱动功率损失
- Verylow开关门充电
起订量: 3000
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
3000+ | 7.40731 | 22221.94200 |
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该器件是使用第六代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(开启)。
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