9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7880ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7880ADP-T1-GE3参考价格$2.45850。Vishay Siliconix SI7880ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8。您可以下载SI7880ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7872DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表中显示了用于SI7872DP-GE3的零件别名，该SI7872DPE-GE3提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双包装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.4A，最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@7.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V 12 V，Id连续漏极电流为6.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为22 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SI7880ADP-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为96 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在14 ns上升时间内提供，器件具有3 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为83 W，零件别名为SI7880ADP-E3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为40 A，正向跨导最小值为120 S，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7880ADP，带有SI制造的电路图。SI7880ADPQFN-8封装，是FET的一部分-单个。
