9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP45H4D9HJ3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP45H4D9HJ3参考价格为0.82347美元。Diodes Incorporated DMP45H4D9HJ3封装/规格：MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251。您可以下载DMP45H4D9HJ3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMP45H4D9HJ3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如DMP4011SPSQ-13库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
DMP32D9UFZ-7B带有引脚细节，包括DMP32系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如X2-DFN0606-3，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供390 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.5 ns，上升时间为2.3 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1 V，Rds导通漏极-漏极电阻为10欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为19.9 ns，典型接通延迟时间为3.1 ns，Qg栅极电荷为0.35 nC，沟道模式为增强型。
DMP32D5SFB-7B和用户指南，包括-2.3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如4.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为31.9 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP32D系列，该器件的上升时间为7.7 ns，漏极-源极电阻Rds为4欧姆，Qg栅极电荷为4 nC，Pd功耗为1.2 W，封装为卷轴式，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-300 mA，下降时间为17.8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP4010SK3Q-13是MOSFET MOSFET BVDSS：，包括卷筒封装，它们设计为使用硅技术操作。
DMP3-SR与EDA/CAD模型DMP3-SR以DIP-18封装形式提供，是IC芯片的一部分。
