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FDS2670是MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于FDS2670_NL的部件别名，其提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOIC窄8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为8 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为130mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为15S，沟道模式为增强。
FDS2672是MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在10ns上升时间内提供，器件具有59mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5W，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.9 A，正向跨导最小值为15 S，下降时间为10 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
FDS2670-NL，带有FSC制造的电路图。FDS2670-NL采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
