9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT13F120S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT13F20S参考价格$11.11100。微芯片技术APT13F120S封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK。您可以下载APT13F120S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT13F120B是MOSFET N-CH 1200V 14A TO247，包括管式封装，设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供POWER MOS 8等商标功能，封装外壳设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-247[B]供应商器件包中提供，该器件具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为625W，漏极-源极电压Vdss为1200V（1.2kV），输入电容Cis-Vds为4765pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14A（Tc），Rds On Max Id Vgs为1.4 Ohm@7A，10V，Vgs th Max Id为5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为145nC@10V，Pd功耗为625 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为910mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为145nC，正向跨导Min为15S，并且信道模式是增强。
APT13005T-G1是双极晶体管-BJT 450V NPN高压700Vces 450Vceo 3.2A，包括APT1300系列，它们设计用于管式封装。
APT135GF2DB2D2G，带有由APT制造的电路图。APT135F2DB2D2G采用TO3P封装，是IC芯片的一部分。
