IRFPG50

Name: IRFPG50
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7152365-IRFPG50
Price: 13.153106 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 1000伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Tc) 最大功耗: 190W（Tc）供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
漏源电压标 (Vdss) 1000伏
供应商设备包装 TO-247AC
包装/外壳至247-3
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
漏源电流 (Id) @ 温度 6.1A (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 190 nC@10 V
最大功耗 190W（Tc）
部件状态过时的
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2800 pF@25 V
导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@3.6A，10V

IRFPG50 产品详情

Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

TO-247AC封装是商业工业应用的首选，其中较高的功率水平排除了TO-220AB器件的使用。TO-247AC与早期的TO-218封装相似，但由于其隔离的安装孔，因此优于早期的TO-248封装。它还提供了引脚之间更大的爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。

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IRF3710PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.19608
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IRFPG50所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFPG50 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFPG50价格参考￥13.153106，你可以下载 IRFPG50中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFPG50规格参数、现货库存、封装信息等信息！