9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF730A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF730A参考价格为1.836美元。Vishay Siliconix IRF730A封装/规格：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB。您可以下载IRF730A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7309TRPBF是MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-SO供应商器件包，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，功率最大值为1.4W，晶体管类型为1 N通道1 P信道、漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为520pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4A、3A，最大Id Vgs为50 mOhm@2.4A、10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为25nC@4.5V，Pd功耗为1.4 W，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极上源极电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，Qg栅极电荷为16.7nC。
IRF7309QTRPBF是MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如50 mOhm@2.4A，10V，功率最大设计为1.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有520pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为4A、3A。
IRF7309Q带有由IR制造的电路图。IRF7309Q可在SOP8封装中获得，是FET阵列的一部分。
