9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBE30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBE30参考价格为3.152美元。Vishay Siliconix IRFBE30封装/规格：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB。您可以下载IRFBE30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFBE20PBF是MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB，包括IRF/SIHFBE20系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有54 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为8.2ns，沟道模式为增强型。
IRFBE20S是由IR制造的MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK。IRFBE20C有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH800V 1.8A/D2PAK、N-通道800V 1.8A/（Tc）表面安装D2PAK。
IRFBE20SPBF，带有VISHAY制造的电路图。IRFBE20SPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
