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PSMN7R0-30YLC，115是MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作48W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1057pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有逻辑电平门，4.5V FET驱动功能，25°C的电流连续漏极Id为61A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7.1 mOhm@20A，10V，Vgs th Max Id为1.95V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为16nC@10V。
PSMN7R0-30YL，115是MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK，包括2.15V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于7 mOhm@15A、10V，提供51W等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669、，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1270pF@12V输入电容Ciss Vds，该器件具有22nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为76A（Tc）。
PSMN7R0-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN7R0-30YL在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN7R0-30YLC，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN7R0-30YLC在SOP包中提供，是FET的一部分-单个。
