9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9Z24STRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9Z24STRR参考价格为3.958美元。Vishay Siliconix IRF9Z24STRR封装/规格：MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK。您可以下载IRF9Z24STRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF9Z24PBF是MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供60 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为11 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2 V至-4 V，Rds导通漏极-漏极电阻为280 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15 ns，典型接通延迟时间为13 ns，Qg栅极电荷为19 nC，正向跨导最小值为1.4 S，并且信道模式是增强。
IRF9Z24SPBF是MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为68 ns，器件的漏极-源极电阻为280 mOhms，Pd功耗为3.7 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为29 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF9Z24NSTRR是由IR制造的MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK。IRF9Z24 NSTRR可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH55V 12B D2PAK、P沟道55V 12A（Tc）3.8W（Ta）、45W（Tc。
IRF9Z24S是由IR制造的MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK。IRF9Z24S有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH60V 11A/D2PAK、P沟道60V 11A（Tc）3.7W（Ta）、60W（Tc。
