Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
TO-220AB封装在功耗水平约为50W的所有商业工业应用中是普遍首选的。
TO-220AB的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
IRFBC40
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥54.26381
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- +
- 总计: ¥54.26
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 125W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300 pF@25 V
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.2A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@3.7A，10V
IRFBC40 产品详情
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IRFBC40所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFBC40 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFBC40价格参考￥54.263807，你可以下载 IRFBC40中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFBC40规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
