9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD420,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD420参考价格为5.384美元。Vishay Siliconix IRFD420封装/规格:MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP。您可以下载IRFD420英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD310PBF是MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP,包括管封装,它们设计用于通孔安装型,封装盒如数据表注释所示,用于HVMDIP-4,提供Si等技术特性,通道数设计用于1通道,以及单双漏极配置,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外,Pd功耗为1 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为9.9 ns,上升时间为9.9ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为350 mA,Vds漏极-源极击穿电压为400 V,Rds漏极源极电阻为3.6欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为21ns,典型接通延迟时间为8ns,沟道模式为增强。
IRFD320PBF是MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中,用于10 ns,提供典型的关闭延迟时间功能,如30 ns,晶体管类型设计为在1 N通道中工作,该器件还可以用作Si技术。此外,上升时间为14 ns,器件的漏极电阻为1.8欧姆Rds,器件具有1 W的Pd功耗,封装为管,封装外壳为HVMDIP-4,通道数为1通道,安装方式为通孔,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为490mA,下降时间为14ns,配置为单双漏,通道模式为增强。
IRFD320是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP。IRFD320可提供4-DIP(0.300“,7.62mm)封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH400V 490MA 4-DIP、N通道400V 490MA(Ta)1W(Ta)通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP、Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-引脚HVMDIP。