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FDP023N08B_F102带有引脚细节，包括卡套管封装，其设计可在单位重量为0.082753盎司的情况下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计可在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可作为单一配置使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供245 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为56 ns，上升时间为71 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为242 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.96mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为111ns，典型接通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为150nC，正向跨导最小值为185S，沟道模式为增强。
FDP025N06是MOSFET N-CH 60V 120A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.085398盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如134纳秒，典型的关闭延迟时间设计为348纳秒，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为324 ns，器件的漏极电阻为2.5 mOhms，Pd功耗为395W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为265 A，下降时间为250 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDP027N08B是FSC制造的MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3。FDP027N08B在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3，N沟道80V 120A（Tc）246W（Tc）通孔TO-220-3。
