9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD9024，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD9024价格参考2.737美元。Vishay Siliconix IRFD9024封装/规格：MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP。您可以下载IRFD9024英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD9020PBF是MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP，包括管封装，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单一配置，该器件也可以用作1个P通道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为280 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为19nC，正向跨导Min为1.3S，沟道模式为增强。
IRFD9014PBF是MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于11 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如10 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为63 ns，器件的漏极电阻为500 mOhms Rds，器件具有1.3 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.1A，下降时间为63ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD9020是由IR制造的MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP。IRFD902可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH60V 1.6V 4-DIP，P沟道60V 1.6B（Ta）1.3W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP。
