9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFI540G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI540G参考价格为17.584美元。Vishay Siliconix IRFI540G封装/规格：MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3。您可以下载IRFI540G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFI530GPBF是MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供42 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为160mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为8.5ns，沟道模式为增强。
IRFI530NPBF是MOSFET MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作110毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为29.3 nC，该器件提供33 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为11 a。
IRFI530N是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP。IRFI530N可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH100V 12A-TO220FP、N沟道100V 12A（Tc）41W（Tc）通孔TO-220AB全封装。
