9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFI640G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFI640G参考价格$4.766。Vishay Siliconix IRFI640G封装/规格：MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3。您可以下载IRFI640G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFI634GPBF是MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极源极导通电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为9.6ns，沟道模式为增强。
IRFI640带有IR制造的用户指南。IRFI640提供TO-220封装，是FET的一部分-单个。
IRFI640A，电路图由FSC制造。IRFI640A采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
