9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB8874，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB8874价格参考2.07美元。onsemi FDB8874封装/规格：MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB。您可以下载FDB8874英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB8870是MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在数据表注释中，用于FDB8870_NL，提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TO-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为160 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为47 ns，上升时间为98 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为160A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为3.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
FDB8860_F085带用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为79 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为213 ns，器件的漏极-源极电阻为1.9 mOhms，Pd功耗为254 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为31 A，下降时间为49 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDB8870_F085，带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于47ns，提供Id连续漏电流功能，如23A，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为160W，Rds漏极-源极电阻为3.9mOhms，上升时间为98ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.046296oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
