IRFI720G

Name: IRFI720G
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7152790-IRFI720G
Price: 44.036832 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 400伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Tc）最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
供应商设备包装 TO-220-3
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
最大功耗 30W (Tc)
漏源电压标 (Vdss) 400伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
包装/外壳 TO-220-3全包装，独立接线片
部件状态过时的
漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A（Tc）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 410 pF @ 25 V
导通电阻 Rds(ON) 1.8欧姆@1.6A，10V

IRFI720G 产品详情

说明
Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和
成本效益。TO-220 FULLPAK无需额外
商业工业应用中的绝缘硬件。所使用的模制化合物在突出部和突出部之间提供高隔离能力和低热阻
外部散热器。这种隔离相当于使用标准to-220产品的100微米云母屏障。FULLPAK通过单个夹子或
单个螺钉固定。

特征
•隔离包装
•高压隔离=2.5千伏RMS（t=60 sf=60 Hz）
•水槽至导线爬电距离=4.8 mm
•动态dV/dt额定值
•低热阻
•无铅（Pb）可用

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型号	制造商	描述	价格
IRFV064	英飞凌 (Infineon)	IRFV064	¥1,575.83775
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IRFU7746PBF		TRENCH 40<-<100V	¥3.59458
IRF60B217		TRENCH 40<-<100V	¥4.0955
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IRFZ24NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥5.93918
IRF3710PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.19608
IRFB4228PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥30.63747
IRFZ34NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.89476

IRFI720G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFI720G 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFI720G价格参考￥44.036832，你可以下载 IRFI720G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFI720G规格参数、现货库存、封装信息等信息！