特色
- -13 A，-30 V。
- RDS（开启）=9 mΩ@VGS=-10 V
- RDS（开启）=13 mΩ@VGS=-4.5 V
- 电池应用的扩展VGSS范围（±25V）
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDS6679Z
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.24434
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.24
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 94 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Ta）
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 9欧姆@13A，10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-25伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3803 pF @ 15 V
FDS6679Z 产品详情
该P沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器和电池充电器来提高DC/DC转换器的整体效率。与具有类似RDS（ON）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是MOSFET易于驱动且更安全（即使在非常高的频率下），DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
FDS6679Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDS-312 | 乔纳德 (Jonard Tools) | FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM | ¥202.43906 |
 | FDSM012P2 | 百通 (Belden) | FD M_D OS2 12F OFNP SU_3. | ¥4.92517 |
| FDSY006RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OS2 6F OFNR | ¥22.09085 |
| FDST012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 12F OFNR | ¥23.39457 |
| FDSY008RF | 百通 (Belden) | FD OS2 TO_CPE 8F OFNR | ¥24.481 |
| FDST036RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 36F OFNR | ¥39.03923 |
| FDSM006P2 | 百通 (Belden) | FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI | ¥2.35438 |
| FDSB006LB | 百通 (Belden) | FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0 | ¥17.02082 |
| FDST004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 4F OFNR | ¥17.2381 |
| FDST024RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 24F OFNR | ¥31.14447 |
FDS6679Z所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDS6679Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS6679Z价格参考￥4.244339，你可以下载 FDS6679Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS6679Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
