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STP360N4F6是MOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 a，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，漏极-源极电阻Rds为1.8mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为340nC。
STP36N55M5是MOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh M5 FET，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于550 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，器件提供80 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有72 nC Qg栅极电荷，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为20.8 a，配置为单通道。
STP36N06，带有由ST制造的电路图。STP36NO6采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
STP36NE06FP带有ST制造的EDA/CAD模型。STP36NE 06FP采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
