9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP5NK40Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP5NK40Z参考价格为7.13美元。STMicroelectronics STP5NK40Z封装/规格：MOSFET N-CH 400V 3A TO220AB。您可以下载STP5NK40Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP5NK100Z是MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220，包括SuperMESH3？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为125W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为1154pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为3.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为3.7Ohm@1.75A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为59nC@10V，Pd功耗为125W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为7.7ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为51.5ns，典型导通延迟时间为22.5ns，Qg栅极电荷为42nC，并且前向跨导Min为4S，并且信道模式为增强。
STP5NC50带有ST制造的用户指南。STP5NC50TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
STP5NC50FP，电路图由STCHN制造。STP5NC50FP采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
STP5NC70ZFP带有ST制造的EDA/CAD模型。STP5NC70 ZFP采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
