STS2DPFS20V

规格参数

• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 安装类别 表面安装
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.7伏、4.5伏
• 最大功耗 2W（Tc）
• 场效应管特性 肖特基二极管（隔离）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 600mV @ 250A
• 部件状态 过时的
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 200毫欧姆@1A，4.5V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 315 pF @ 15 V