9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS4DNFS30L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS4DNFS30L参考价格$2.286。STMicroelectronics STS4DNFS30L封装/规格：MOSFET N-CH 30V 4A 8SO。您可以下载STS4DNFS30L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STS4DNF60L是MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1030pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs为55mOhm@2A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@4.5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为10ns，上升时间为28ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为4A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极电阻为55mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为25S，沟道模式为增强。
STS4DNF60是MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC，包括4V@250μA Vgs th Max Id，设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于STripFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如90 mOhm@2A、10V，Power Max设计为2W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有315pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
STS4DNF60L/F，带有ST制造的电路图。STS4DNF6 0L/F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
