9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS5PF20V，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS5PF20V参考价格$2.836。STMicroelectronics STS5PF20V封装/规格：MOSFET P-CH 20V 5A 8SO。您可以下载STS5PF20V英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS5NF60L是MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有8-SO的供应商器件封装，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1250pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为55mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为28纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为55毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45纳秒，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为25S，信道模式为增强。
带有用户指南的STS5P3LLH6，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于使用Si技术，数据表说明中显示了用于8-SO的供应商设备包，该产品提供了DeepGATE？、？，STripFET？H6，Rds On Max Id Vgs的设计工作电压为56 mOhm@2.5A，10V，最大功率为2.7W，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为639pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为6nC@4.5V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为5A（Ta）。
STS5N15F4是MOSFET N沟道150 V StripFET，包括单一配置，它们设计为在11.4 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于5A的Id连续漏极电流，提供了SMD/SMT等安装方式功能，信道数量设计为在1个信道中工作，以及SOIC-8封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，Pd功耗为2.5 W，器件提供57 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有5.1 ns的上升时间，串联为N沟道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为39.7 ns，典型接通延迟时间为13.5 ns，单位重量为0.019048oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V。
