9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS7PF30L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STS7PF30L参考价格$5.042。STMicroelectronics STS7PF30L封装/规格：MOSFET P-CH 30V 7A 8SO。您可以下载STS7PF30L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS7NF60L是MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC，包括STripFET？II系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有8-SO的供应商器件封装，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1700pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为19.5 mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为34nC@4.5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20纳秒，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为17毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47纳秒，典型的开启延迟时间为15ns，信道模式为增强。
STS7NF30L带有ST制造的用户指南。STS7NF30 L以SOP封装形式提供，是IC芯片的一部分。
STS7P4LLF6，带有ST制造的电路图。STS7P4LL F6可在SOP-8封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分，并支持SO-8封装中的“MOSFET P沟道40 V、P沟道40V 2.7W（Ta）表面安装8-SO、Trans MOSFET P-CH 40V 7A 8引脚SO T/R、MOSFET P信道40 V、典型0.0175欧姆、7 A STripFET F6功率MOSFET”。
