9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP030N06B-F102，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP030N06B-F102参考价格$2.61000。onsemi FDP030N06B-F102封装/规格：MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3。您可以下载FDP030N06B-F102英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDP030N06是MOSFET N-CH 60V 120A TO220，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.085398盎司的操作，封装盒如数据表注释所示，用于to-220-3，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为231 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为178 ns，Id连续漏极电流为193 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为3.2 mΩ，晶体管极性为N沟道，并且典型的关断延迟时间是54ns，并且典型的接通延迟时间是39ns，并且正向跨导Min是154S。
FDP027N08B_F102带有用户指南，包括80 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.063493盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及2.21 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作246W Pd功率耗散。此外，包装为管式，装置采用TO-220-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为223 a。
FDP030N06B是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。FDP030N06B在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。
