9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW26NM60,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STW26NM60参考价格为0.672美元。STMicroelectronics STW26NM60封装/规格:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3。您可以下载STW26NM60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW25NM60ND是MOSFET N-CH 600V 21A TO-247,包括FDmesh?II系列,它们设计用于管式封装,封装盒如数据表注释所示,用于to-247-3,其工作温度范围为150°C(TJ),安装类型设计用于通孔,以及to-247-33供应商器件封装,该器件也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET型。此外,最大功率为160W,器件提供600V漏极到源极电压Vdss,器件具有2400pF@50V输入电容Cis-Vds,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为21A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为160mOhm@10.5A,10V,Vgs最大Id为5V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为80nC@10V。
STW26NM50是MOSFET N-CH 500V 30A TO-247,包括5V@250μA Vgs th Max Id,设计用于与TO-247-3供应商设备包一起工作,系列如数据表注释所示,用于MDmesh?,提供Rds On Max Id Vgs功能,例如120 mOhm@13A,10V,Power Max设计用于313W,以及管封装,该器件也可以用作to-247-3封装盒,其工作温度范围为150°C(TJ),该器件提供通孔安装型,该器件具有3000pF@25V的输入电容Cis Vds,栅极电荷Qg Vgs为106nC@10V,FET类型为MOSFET N沟道,金属氧化物,FET特性为标准,漏极到源极电压Vdss为500V,电流连续漏极Id 25°C为30A(Tc)。
STW26NM50FD,带有ST制造的电路图。STW26NM50FD采用TO-247封装,是IC芯片的一部分。