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STH2N120K5-2AG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 34.83834 34.83834
10+ 31.29657 312.96571
100+ 25.64203 2564.20390
500+ 21.82879 10914.39850
1000+ 20.92024 20920.24800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥31.65147
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.84
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 60W (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 100A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@500毫安,10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.3 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 H2Pak-2
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 124 pF@100 V

STH2N120K5-2AG 产品详情

STH2N120K5-2AG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STH2N120K5-2AG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STH2N120K5-2AG价格参考¥31.651473,你可以下载 STH2N120K5-2AG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STH2N120K5-2AG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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