特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 针对10 V栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
- 硅优化用于低于100 kHz的应用切换
- 与上一代硅相比，更柔软的体二极管
- 行业标准通孔电源组件
- 高载流能力封装（高达195 A，取决于管芯尺寸）
- 能够进行波峰焊接
IRFBG30PBF-BE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.41097 | 19.41097 |
| 10+ | 17.46987 | 174.69875 |
| 100+ | 14.03963 | 1403.96370 |
| 500+ | 11.53475 | 5767.37650 |
| 1000+ | 9.88684 | 9886.84800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥19.41097
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.41
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 1000伏
- 最大功耗 125W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 80 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 980 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 1.9A, 10V
IRFBG30PBF-BE3 产品详情
IRFBG30PBF-BE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFBG30PBF-BE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFBG30PBF-BE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFBG30PBF-BE3价格参考￥19.410972，你可以下载 IRFBG30PBF-BE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFBG30PBF-BE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
