-超低导通电阻
-P沟道MOSFET
-表面贴装
-提供磁带和卷轴
-低栅极电荷
描述
这些来自国际整流器的P沟道MOSFET
利用先进的加工技术实现
每硅面积的导通电阻极低。这
这一优势为设计师提供了极其高效的
用于电池和负载管理的设备
应用。
热增强型大焊盘引线框架
纳入标准SOT-23包
与业界一起生产HEXFET功率MOSFET
占地面积最小。该封装被称为Micro3TM，
是印刷电路板应用的理想选择
空间非常昂贵。低剖面（<1.1mm）
Micro3可轻松贴合极薄
应用环境，如便携式电子设备
和PCMCIA卡。热阻和
功耗是最好的。
描述
这些来自国际整流器的P沟道MOSFET
利用先进的加工技术实现
每硅面积的导通电阻极低。这
这一优势为设计师提供了极其高效的
用于电池和负载管理的设备
应用。
热增强型大焊盘引线框架
纳入标准SOT-23包
与业界一起生产HEXFET功率MOSFET
占地面积最小。该封装被称为Micro3TM，
是印刷电路板应用的理想选择
空间非常昂贵。低剖面（<1.1mm）
Micro3可轻松贴合极薄
应用环境，如便携式电子设备
和PCMCIA卡。热阻和
功耗是最好的。
特色
- 符合RoHS
- 行业领先的质量
- 快速切换
- 薄型（小于1.1mm）
- P沟道MOSFET
- SOT-23占地面积
应用
- 直流开关
- 负载开关
