9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT77N60SC6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT77N60SC6参考价格13.62900美元。微芯片技术APT77N60SC6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK。您可以下载APT77N60SC6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT77N60SC6价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT75M50L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括散装封装，其设计为单位重量为0.373904盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-264-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1 N通道配置。此外，Pd功耗为1.04kW，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为39ns，上升时间为55ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为290nC，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
APT77N60BC6是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型开启延迟时间设计为18 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为27ns，器件的漏极-源极电阻为37mOhms，Qg栅极电荷为260nC，Pd功耗为481W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-247-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为77A，下降时间为8ns，通道模式为增强型。
APT77N60JC3是分立半导体模块功率MOSFET-CoolMOS，包括单一配置，它们设计为在8 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于77 a，提供安装类型功能，如螺钉，封装盒设计用于SOT-227-4，以及散装封装，该器件也可以用作568W Pd功率耗散。此外，该产品是功率MOSFET模块，该器件提供30 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有27 ns的上升时间，商品名为ISOTOP，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110 ns，典型接通延迟时间为18 ns，单位重量为1.058219 oz，Vds漏极源极击穿电压为600 V，并且Vgs栅极-源极电压是20V，并且Vgs第二栅极-源极端电压是2.1V。
