9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R8008ANJGTL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R8008ANJGTL参考价格为5.31000美元。Rohm Semiconductor R8008ANJGTL封装/规格：NCH 800V 8A功率MOSFET:R8008。您可以下载R8008ANJGTL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R8005ANX是MOSFET N-CH 800V 5A TO220，包括R8005ANX系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有40 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为5 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，第Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.08欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为21nC，正向跨导最小值为1S，沟道模式为增强。
R8002ANX是MOSFET 10V驱动Nch MOSFET，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为R8002ANX系列，该器件的上升时间为20ns，漏极-源极电阻Rds为4.3欧姆，Qg栅极电荷为12.7 nC，Pd功耗为35 W，封装为散装，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为2A，并且下降时间为70ns，并且配置为单一。
R800，电路图由FD CX OEM制造。R800采用ZIP9封装，是IC芯片的一部分。
