这种N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET，经过设计、测试和保证，能够在击穿雪崩操作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET都设计用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极开关晶体管的驱动器等应用。这些类型可以直接从集成电路操作。以前是发育型TA17425。
IRF840
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 125W（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 供应商设备包装 TO-220
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 832 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 850毫欧姆 @ 3.5A, 10V
IRF840 产品详情
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IRF840所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF840 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF840价格参考￥70.357531，你可以下载 IRF840中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF840规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
