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APT24F50B是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及单配置，该设备也可用于335 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为14 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为240mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为90nC，正向跨导最小值为17S，沟道模式为增强。
APT23F60S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
APT24F50S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
