IRF830

Name: IRF830
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7153213-IRF830
Price: 9.777915 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc）供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
包装/外壳至220-3
漏源电压标 (Vdss) 500 V
漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Tc)
工作温度 150摄氏度（TJ）
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-220
最大功耗 100W（Tc）
部件状态过时的
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 610 pF @ 25 V
导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@2.7A，10V

IRF830 产品详情

来自国际整流器的第三代HEXFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。

N沟道增强型场效应功率晶体管，用于离线开关电源、T.V.和计算机监控电源直流-直流转换器、电机控制电路和通用开关应用。

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IRF830所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF830 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF830价格参考￥9.777915，你可以下载 IRF830中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF830规格参数、现货库存、封装信息等信息！