PowerMESH™II是第一代MESH OVERLAY的演变™. 布局
引入的改进极大地提高了Ron*面积的品质因数，同时在开关速度、栅极电荷和耐用性方面保持了器件的领先优势。
■ 典型RDS（开）=0.22Ω
■ 极高的dv/dt能力
■ 100%雪崩测试
■ 新的高压基准
■ 栅极电荷最小化
IRFP460
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.4A（Tc） 最大功耗: 220W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥39.05372
-
数量:
- +
- 总计: ¥39.05
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 最大功耗 220W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 18.4A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2980 pF@25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 128 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 270毫欧姆@9A、10V
IRFP460 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFP460所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFP460 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFP460价格参考￥39.053717，你可以下载 IRFP460中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFP460规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
